Text
Pengaruh Temperatur Annealing Terhadap Sifat Optis Dan Sifat Fotokatalis Lapisan Tipis Tio2:N 8% Untuk Degradasi Rhodamine B
INTISARI
Titanium dioksida (TiO2) adalah fotokatalis yang banyak diteliti untuk degradasi polutan organik dari air limbah. Semikonduktor ini lebih potensial daripada semikonduktor lain sebagai katalis karena stabilitas, tidak beracun, biaya rendah, dan ketersediaannya yang sudah komersil. Lapisan tipis TiO2:N 8% dideposisi di atas substrat kaca menggunakan metode sol-gel dengan teknik deposisi spray coating pada temperatur 450oC. Prekursor yang digunakan dalam sintesis TiO2:N 8% adalah titanium (IV) isopropoksida (TTiP), 2-propanol, asam asetat, metanol dan urea sebagai sumber doping nitrogen. Lapisan tipis TiO2:N 8% hasil deposisi selanjutnya di annealing pada temperatur 400oC, 500oC dan 600oC. Sifat optis lapisan Tipis TiO2:N 8% diuji menggunakan spektrofotometer UV-Vis pada rentang panjang gelombang 200-500 nm. Sifat fotokatalis lapisan tipis TiO2:N 8% diuji dengan melakukan degradasi larutan zat pewarna Rhodamine B (RhB) 10 ppm menggunakan cahaya matahari dan cahaya lampu UV C selama 3 jam. Proses annealing menyebabkan penyempitan celah energi lapisan tipis TiO2:N 8%. Semakin tinggi temperatur annealing maka celah energi semakin kecil yaitu 3,28 eV; 3,26 eV; 3,08 eV; dan 2,95 eV. Material TiO2:N 8% tanpa annealing memiliki bentuk bulir memiliki diameter 0,5 μm hingga 1 μm sedangkan material TiO2:N 8% annealing 400oC memiliki bentuk bulir memiliki diameter 0,5 μm hingga 1 μm. Efisiensi degradasi menunjukkan sifat fotokatalis TiO2:N 8% dengan annealing menjadi lebih baik. Proses degradasi menggunakan temperatur annealing 400oC menghasilkan lapisan tipis TiO2:N 8% dengan sifat yang lebih baik di bawah lampu UV C sebesar 89,22% dalam 180 menit. Peningkatan temperatur annealing menghasilkan lapisan tipis TiO2:N 8% dengan sifat fotokatalis yang semakin baik di bawah cahaya matahari dengan temperatur annealing 600oC sebesar 79,30% dalam 180 menit.
Kata kunci : Lapisan tipis, TiO2:N, Degradasi, Rhodamine B
ABSTRACT
Titanium dioxide (TiO2) is a widely studied photocatalyst for the degradation of organic pollutants from wastewater. This semiconductor is more potential than other semiconductors because of its stability, non-toxic, low cost, and commercial availability. A thin film of TiO2:N 8% was deposited on a glass substrate using a sol-gel method with a spray coating deposition at a temperature of 450 oC. Precursors used in the synthesis of TiO2:N 8% are titanium (IV) isopropoxide (TTiP), 2-propanol, acetic acid, methanol, and urea as the source of nitrogen doping. Thin film TiO2:N 8% of subsequent deposition results at annealing at temperatures 400 oC, 500 oC, and 600 oC. Optical properties of TiO2:N 8% were tested using a UV-Vis spectrophotometer at 200-500 nm wavelength range. The photocatalytic properties of TiO2:N 8% thin films were tested by degradation of a solution of Rhodamine B (RhB) 10 ppm using sunlight and UV C light for 3 hours. The energy gap in thin film TiO2:N 8% sequentially from Without Annealing, Annealing 400 oC, Annealing 500 oC, Annealing 600 oC has a value of 3.28 eV; 3.26 eV; 3.08 eV; and 2.95 eV, respectively. The material TiO2:N 8% without annealing has a grain shape having a diameter of 0.5 μm to 1 μm, while for TiO2:N 8% annealing 400 oC has the same grain shape without annealing. The efficiency of degradation shows the properties of TiO2:N 8% photocatalyst with annealing for the better. The degradation process using 400 oC annealing temperature yields a thin film TiO2:N 8% with better properties under UV C lamp of 89.22% in 180 minutes. Annealing temperature increase yields TiO2:N 8% thin film with improved photocatalyst properties in sunlight with an annealing temperature of 600 oC at 79.30% in 180 minutes.
Keywords : Thin Film, TiO2:N, Annealing, Rhodamine B
1295D18III | 1295 D 18 | Perpustakaan FSM Undip (Referensi) | Tersedia |
Tidak tersedia versi lain