Text
Pengaruh Suhu Annealing Preparasi Semikonduktor CuO sebagai Fotokatoda CuO/In2S3/Pt dan Aplikasinya dalam Pemecahan Air secara Fotoelektrokimia
ABSTRAK
Pemecahan air secara fotoelektrokimia adalah alternatif pembentukan gas hidrogen secara
elektrolisis yang menggunakan cahaya matahari. Pengembangan fotoelektroda sangat diminati
peneliti agar dihasilkan elektroda yang baik dan murah. Penelitian ini bertujuan untuk
mengetahui pengaruh suhu annealing terhadap rapat arus semikonduktor CuO, memodifikasi
permukaan CuO serta mengaplikasikan CuO termodifikasi sebagai fotokatoda dalam pemecahan
air secara fotoelektrokimia. Sintesis CuO menggunakan metode elektrodeposisi dan annealing
pada 300, 400, dan 500oC selama 2 jam kemudian dilakukan modifikasi CuO dengan In2S3 dan
ko-katalis platina. Selanjutnya pengukuran fotoelektrokimia pada CuO variasi annealing dan
CuO termodifikasi. Karakterisasi CuO dengan XRD, SEM dan EDX yang menghasilkan rapat
arus dan potensial onset tertinggi. Pembuatan lapis tipis CuO menggunakan metode
elektrodeposisi dan annealing, modifikasi In2S3 dan platina berhasil disintesis dan digunakan
sebagai fotokatoda dalam pemecahan air secara fotoelektrokimia. Hasil fotoelektrokimia
menunjukkan semakin tinggi suhu annealing, rapat arus yang dihasilkan semakin besar, CuO
termodifikasi In2S3 dan platina menghasilkan rapat arus tertinggi yaitu 2,60 mA/cm2 dan
potensial onset 0,8 V. Hasil analisis XRD, SEM dan EDX menunjukkan bahwa ukuran kristal
CuO 500oC sebesar 42,48 nm, morfologi permukaan bola yang berkelompok dengan diameter
2,88µm dengan massa relatif Cu dan O yang sebanding.
ABSTRACT
Photoelectrochemical water splitting is an alternative to the formation of hydrogen gas by
electrolysis using sunlight. Development of photoelectrode is very interested researchers to
produce a good electrode and cheap. This study aims to determine the effect of annealing
temperature on the photocurrent density of CuO semiconductor, modification CuO surface and
apply as a photocathode on the photoelectrochemical water splitting. The CuO synthesis using
electrodeposition and annealing methods at 300, 400, and 500oC for 2 hours was then modified
CuO with In2S3 and platinum co-catalyst. Furthermore, photoelectrochemical measurements on
CuO variations of annealing and modified CuO. Characterization of CuO with XRD, SEM and
EDX yielded the highest photocurrent density and potential onset. The making of CuO thin layer
using electrodeposition and annealing method, modification of In2S3 and platinum was
successfully synthesized and used as a photocathode on photoelectrochemical splitting. The
result of the photoelectrochemistry showed that the higher the annealing temperature, the higher
the resulting photocurrent density, the modified In2S3 and co-catalyst Pt resulted in the highest
current density of 2.60 mA/cm2 and the potential for onset of 0.8 V. The XRD, SEM and EDX
analyzes showed that the crystal size CuO 500oC of 42.48 nm, spherical surface morphology
with a diameter of 2.88μm with a comparable mass of Cu and O.
1499C18III | 1499 C 18 | Perpustakaan FSM Undip (Referensi) | Tersedia |
Tidak tersedia versi lain