Text

Pengaruh Lama Waktu Annealing Pada Preparasi Semikonduktor Cuo Sebagai Fotokatoda CuO/In2S3/Pt Dalam Pemecahan Air Secara Fotoelektrokimia

---

ABSTRAK

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh lama waktu annealing pada
pembuatan semikonduktor CuO serta modifikasi CuO sebagai fotokatoda CuO/In2S3/Pt dalam
pemecahan air secara fotoelektrokimia. Sintesis CuO menggunakan metode elektrodeposisi dan
annealing dengan variasi lama waktu 1 jam, 2 jam, dan 3 jam. Modifikasi CuO dengan pelapisan
In2S3 pada semikonduktor CuO digunakan metode Chemical Bath Deposition dan pelapisan
logam platina dengan metode photoelectrodeposition. Karakterisasi semikonduktor CuO dengan
instrumen difraksi sinar X dan SEM-EDX. Pengukuran fotoelektrokimia dengan cahaya simulasi
1,5 AM (100 mW/cm2). Hasil dari penelitian ini, semikonduktor CuO telah berhasil disintesis.
Lama waktu annealing berpengaruh pada arus foton dan potensial onset semikonduktor CuO.
Modifikasi semikonduktor CuO yang telah berhasil disintesis, diaplikasikan sebagai fotokatoda
CuO/In2S3/Pt, arus foton yang dihasilkan sebesar 3,3 mA/cm2 pada 0,34 RHE dan potensial onset
sebesar 0,83 V dengan efisiensi 1,15 %. Hasil analisis difraksi sinar X menunjukkan bahwa
sampel mengandung CuO, ukuran bulir kristal rata-rata 56,92 nm. Hasil analisis SEM
menunjukkan adanya CuO dengan terbentuknya morfologi grains (butiran) dengan ukuran
sekitar 0,43 μm. Hasil analisis EDX menunjukan bahwa sampel mengandung unsur Cu dan O
masing-masing sebanyak 13,2 % dan 5,9 %.
Kata kunci : semikonduktor CuO, fotokatoda CuO/In2S3/Pt, pemecahan air secara
fotoelektrokimia

ABSTRACT

This study aims to determine the effect of annealing time on CuO semiconductor
manufacturing and CuO modification as CuO/In2S/Pt photocathode in photoelectrochemical
splitting. CuO synthesis using electrodeposition and annealing method with variation of time 1
hour, 2 hours, and 3 hours. Modification of CuO with In2S3 coating on CuO semiconductors was
used Chemical Bath Deposition method and platinum metal coating by photoelectrodeposition
method. Characterization of CuO semiconductors with X-ray diffraction instruments and SEMEDX. Photoelectrochemical measurements with simulated light 1.5 AM (100 mW / cm2). Results
from this study, CuO semiconductors have been successfully synthesized. The length of annealing
time has an effect on the photon current and the onset potential of the CuO semiconductor.
Modified semiconductor CuO, applied as CuO/In2S3/Pt photocathode, photocurrent generated at
3.3 mA /cm2 at 0.34 RHE and a potential onset of 0.83 V with an efficiency of 1.15%. The results
of X-ray diffraction analysis showed that the sample contained CuO, the average grain size of
56.92 nm. SEM analysis results show the presence of CuO with the formation of grains
Pengaruh Lama Waktu Annealing pada Preparasi Semikonduktor CuO sebagai
Fotokatoda CuO/In2S3/Pt dalam Pemecahan Air secara Fotoelektrokimia
The Influence of Length Annealing Process on CuO Semiconductor
Preparation as CuO/In2S3/Pt Photocathode in Photoelectrochemical Water
Splitting.morphology (granules) with a size of about 0.43 μm. The result of EDX analysis showed that the
samples contain elements of Cu and O of 13.2% and 5.9%, respectively.
Keywords : CuO semiconductor, CuO/In2S3/Pt photocathode, photoelectrochemical water
splitting

---

Ketersediaan

1498C18III

1498 C 18

Perpustakaan FSM Undip (Referensi)

Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri

KIMIA

No. Panggil

1498 C 18

Penerbit

: ., 2018

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

-

Klasifikasi

2325

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

-

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

Nur Laily Mukarromah

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar