Text

Sintesis dan Karakterisasi Elektrode lapis Tipis ZnO-PbO/FTO Sebagai sel surya 541,39

---

RINGKASAN

Sel surya merupakan salah satu energi terbarukan yang menjanjikan karena
mampu mengkonversi energi radiasi matahari menjadi energi listrik. Sel surya pada
dasarnya terdiri dari hubungan antara sisi positif dan negatif di dalam sebuah sistem
semikonduktor. Penelitian ini dilakukan untuk mensintesis ZnO yang merupakan
semikonduktor tipe n yang kemudian didoping oleh PbO yaitu semikonduktor tipe
p sehingga mampu menurunkan energi celah pita (energi band gap) dari ZnO.
Semikonduktor ZnO yang telah terdoping PbO membentuk sambungan p-n
junction (heterojunction), yang kemudian dapat diaplikasikan sebagai sel surya.
Metode yang digunakan untuk mensintesis ZnO–PbO/FTO adalah
elektrodeposisi dua langkah, dimana PbO diendapkan terlebih dahulu pada kaca
FTO dengan potensial 2,5V, kemudian setelah PbO/FTO terbentuk proses
pengendapan ZnO dilakukan dengan PbO/FTO sebagai elektroda kerja pada
potensial 2,6V, sehingga ZnO akan terendapkan pada PbO/FTO dan menghasilkan
lapis tipis ZnO–PbO/FTO. Lapis tipis ZnO–PbO/FTO yang terbentuk diuji
menggunakan rangkaian alat multimeter dengan memberikan energi cahaya dari
lampu tungsten dan matahari, dimana Alumunium sebagai anoda dan ZnO–
PbO/FTO sebagai katoda.
Berdasarkan hasil karakterisasi ZnO–PbO/FTO menggunakan difraksi sinar
X menunjukkan bahwa terbentuk PbO dan ZnO yang ditunjukkan melalui nilai 2θ
sebesar 29,2o; 32,3o; dan 48,0o dengan ukuran kristal 26,2nm dan 34,9o; 36,8o; dan
48,0o dengan ukuran kristal 23,2nm. Pengujian lapis tipis ZnO–PbO/FTO yang
disinari oleh lampu tungsten dan matahari menghasilkan tegangan sebesar 1,0–
1,6mV dan 0,1–0,2mV.

SUMMARY

Solar cell is one of the promising renewable energy because it is able to
convert solar radiation energy into electrical energy. Solar cells is basically made
up of a relationship between the positive and negative sides in a semiconductor
systems. This study was conducted to synthesize ZnO which is an n-type
semiconductor then doped by a p-type semiconductor PbO to decreasing the band
gap energy (energy band gap) of ZnO. ZnO semiconductor that doped PbO formed
a p-n junction (heterojunction), which can then be applied as solar cell.
Method used to synthesize ZnO-PbO/FTO is a two-step electrodeposition,
where PbO is deposited beforehand on FTO glass with a potential of 2.5V, then
after PbO/FTO formed ZnO was deposited at potential of 2.6V on the PbO/FTO as
working electrode, so that will be deposited in a PbO-ZnO/FTO and produce a thin
layer of ZnO-PbO/FTO. Thin layer of ZnO-PbO/FTO formed was tested using a
suite of tools multimeter were irradiated by a tungsten lamp and sun, where
Aluminum as the anode and ZnO-PbO/FTO as a cathode.
Based on the results of the characterization of ZnO-PbO/FTO using X-ray
diffraction analysis showed that the formed PbO and ZnO indicated through 2θ
value of 29.2o; 32.3o; and 48.0o with 26.2nm crystal size and 34.9o; 36.8o; and 48.0o
with 23.2nm crystal size. Testing of thin layer of ZnO-PbO/FTO illuminated by
tungsten lamps and solar generate a voltage of 1.0-1.6mV and 0.1-0.2mV.

---

Ketersediaan

1310C16IV

1310 C 16

Perpustakaan FSM Undip (Referensi)

Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri

KIMIA

No. Panggil

1310 C 16

Penerbit

: ., 2016

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

-

Klasifikasi

1370

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

-

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

Gandhis Tiara Krisdayanti

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar