Text

Mikrostruktur Lapisan Tipis Semi Konduktor Alx Ga1-xN yang Ditumbuhkan pada Substrat Si (111) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition (CSD)

---

Surfaktan yang digunakan sebagai molekul pengarah adalah surfaktan kationik hasil dari proses sublasi sampel pelembut pakaian, yaitu dengan mengalirkan gelembung gas N2 ke dalam sampel sehingga surfaktan kationik akan terbawa oleh gelembung dan pecah di fase etil asetat. Surfakatan kationik yang didapatkan ditentukan CMC (konsentrasi misel kritis) dengan menggunakan turbidimeter, kemudian dibuat variasi konsentrasi surfaktan sebagai molekul pengarah yaitu di bawah CMC (M1), pada CMC (M2) dan di atas CMC (M3). Pada pembuatan material berpori, sebagai sumber silika adalah abu sekam padi yang dilarutkan ke dalam larutan NaOH 1,5 M untuk membentuk larutan natrium silikat dan ditambahkan molekul pengarah hasil sublasi sehingga terbentuk gel. Gel yang terbentuk dilanjutkan proses pemanasan untuk pembentukan inti kristal dan proses kalsinasi untuk mendekomposisi molekul pengarah. Keberadaan molekul pengarah dianalisis dengan FTIR, kristalinitas dari material hasil diketahui dengan difraksi sinar-X, dan ukuran pori serta luas permukaan pori ditentukan dengan metode adsorpsi gas nitrogen melalui persamaan BET.

---

Ketersediaan

689D10III

530.41 MAR m

Perpustakaan FSM Undip (Referensi)

Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri

FISIKA

No. Panggil

530.41 MAR m

Penerbit

SEMARANG : PS Fisika FSM-UNDIP., 2012

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

-

Klasifikasi

571.6

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

-

Subjek

Graf

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

MARYANTO

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar