Text

Pengaruh Banyaknya Penetesan cU2o Pada Pembuatan Fotokatoda Lapis Tipis Cu2O Dengan Metode Spin Coating Terhadap Sifat Fotoelektrokimia

---

ABSTRAK
Sintesis dan preparasi lapis tipis Cu2O untuk aplikasi fotoelektrokimia
telah berhasil dilakukan. Penelitian ini menggunakan metode Fehiling untuk
mensintesis Cu2O serta mempelajari pengaruh variasi penetesan Cu2O terhadap
kemampuan semikonduktor lapis tipis Cu2O yang dibuat melalui metode spin
coating dengan laju putaran 500 rpm selama 15 detik, variasi penetesan Cu2O yang
dilakukan yaitu 16 tetes, 25 tetes dan 50 tetes. lapis tipis kemudian diberikan
perlakuan annealing pada 400oC selama 1 jam sebagai tahap akhir pelekatan Cu2O
pada kaca FTO. Lapis tipis kemudian diuji dalam proses fotoelektrokimia sebagai
fotokatoda untuk memecah air dengan cahaya simulasi 1,5 AM (100 mW/cm2).
Dalam proses pemecahan air dibantu oleh semikonduktor untuk memproduksi
energi hidrogen dan oksigen secara fotoelektrokimia. Cu2O merupakan
semikonduktor tipe-p dengan band gap ~2 eV yang dapat digunakan sebagai
fotokatoda. Hasil pengukuran fotoelektrokimia menunjukkan bahwa semakin
banyak Cu2O yang diteteskan pada kaca FTO maka rapat arus yang dihasilkan
semakin besar dan nilai potensial onset semakin tinggi. Hasil analisis SEM
menunjukkan semakin banyak Cu2O yang diteteskan pada kaca FTO maka hasil
kristal juga semakin banyak. Analisis EDX menunjukkan bahwa sampel dengan
variasi penetesan 50 tetes Cu2O mengandung unsur Cu paling besar yaitu 45,45%.
Analisis pola difraksi X-ray (XRD) menunjukkan ukuran bulir oksida paling besar
(big grain size) yaitu 33,82 nm pada variasi penetesan 50 tetes Cu2O.
Kata Kunci: Semikonduktor, Cu2O, Fehling, spin coating, fotoelektrokimia

ABSTRACT
The synthesis and preparation of Cu2O thin film for photoelectrochemical
applications have been successfully carried out. This study used the Fehiling
method to synthesize Cu2O and studied the effect of Cu2O penetration variations on
the ability of Cu2O thin film semiconductors made by spin coating method with a
rotation rate of 500 rpm for 15 seconds, variations in Cu2O penetration were 16
drops, 25 drops and 50 drops. The thin film was then given annealing treatment at
400oC for 1 hour as the final step for adhering Cu2O to FTO glass. Thin film was
tested in a photoelectrochemical process as a photocatode for water splitting with a
simulated light of 1.5 AM (100 mW / cm2). The air management process is assisted
by semiconductors to produce hydrogen and oxygen energy by
photoelectrochemical. Cu2O is a p-type semiconductor with a ~ 2 eV band gap that
can be used as a photocatode. The results of photoelectrochemical measurements
show that the more Cu2O is dropped on the FTO glass, the greater the current
density and the higher the potential value. SEM analysis showed that the more Cu2O
was dropped on FTO glass, the higher the crystal yield. EDX analysis showed that
the sample with the variation of the drop of 50 drops of Cu2O contained the greatest
element of Cu, namely 45.45%. X-ray diffraction pattern analysis (XRD) shows the
largest grain size of the oxide (big grain size), which is 33.82 nm in the variation of
50 drops of Cu2O
Key Word: Semiconductor, Cu2O, Fehling, spin coating, photoelectrochemical

---

Ketersediaan

1762C20IV

1762 C 20-iv

Perpustakaan FSM Undip (Referensi)

Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri

KIMIA

No. Panggil

1762 C 20-iv

Penerbit

: ., 2020

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

-

Klasifikasi

NONE

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

-

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

Savira Khoirunnissa

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar